HGTP10N40F1D
HGTP10N40F1D
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTP10N40F1D
- 商品编号
- C3193394
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 400V | |
| 集电极电流(Ic) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.5V@10V,5A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IGBT是一种MOS栅极高电压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在 +25°C 至 +150°C 之间，低得多的导通状态电压降变化适中。与IGBT并联使用的二极管是超快二极管（trr < 60ns），具有软恢复特性。
商品特性
- 10A、400V和500V
- 无闩锁操作
- 典型下降时间 < 1.4μs
- 高输入阻抗
- 低传导损耗
- 反并联二极管
- trr < 60ns
应用领域
IGBT非常适合许多在低传导损耗至关重要的频率下运行的高电压开关应用，如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。