商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 500V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@20V,17.5A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTH12N40C1、HGTH12N40E1、HGTH12N50C1、HGTH12N50E1、HGTP10N40C1、HGTP10N40E1、HGTP10N50C1和HGTP10N50E1是n沟道增强型绝缘栅双极晶体管（IGBT），专为高压、低导通损耗应用而设计，如开关稳压器和电机驱动器。这些型号可直接由低功率集成电路驱动。
商品特性
- 10A和12A，400V和500V
- VcE(ON)：最大2.5V
- Tp：1μs，0.5(1s
- 低导通电压
- 快速开关速度
- 高输入阻抗
- 无反并联二极管
应用领域
- 电源
- 电机驱动器
- 保护电路