HGTG15N120C3
HGTG15N120C3
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTG15N120C3
- 商品编号
- C3193606
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 164W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTG15N120C3、HGTP15N120C3、HGT1S15N120C3 和 HGT1S15N120C3S 是 MOS 栅极高压开关器件，结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在 25°C 至 150°C 之间，低导通状态电压降变化适中。IGBT 非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 35A、1200V，Tc = 25°C
- 1200V 开关安全工作区能力
- 在 Tj = 150°C 时，典型下降时间为 350ns
- 短路额定值
- 低传导损耗