商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1kV | |
| 集电极电流(Ic) | 55A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTG34N100E2是一款MOS栅极高电压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。在+25%至+150°C之间，较低的导通压降变化适中。
IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高电压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 34A，1000V
- 无闩锁操作
- 典型下降时间 - 710ns
- 高输入阻抗
- 低导通损耗
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 电源
- 螺线管、继电器和接触器的驱动器