商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 33.3W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 7A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 105ns | |
| 导通损耗(Eon) | 66uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 88uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTD3N60B3S、HGTD3N60B3、HGT1S3N60B3、HGT1S3N60B3S和HGTP3N60B3是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。
IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 7A，600V，Tc = 25°C
- 600V开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在Tj = 150°C时为115ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 电源
- 螺线管、继电器和接触器的驱动器