- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXYA20N120A4HV
GenX4 IGBT，适用于高达5kHz开关，低导通损耗，高功率密度，低栅极驱动要求，国际标准封装
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXYA20N120A4HV
- 商品编号
- C3194037
- 商品封装
- TO-263HV
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 135A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 880pF | |
| 输出电容(Coes) | 57pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 275ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.75mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 54ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 针对低传导损耗进行优化
- Vce(sat)具有正温度系数
- 采用国际标准封装
- 高功率密度
- 低栅极驱动要求
应用领域
- 功率逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 电机驱动器
- 开关电源（SMPS）
- 电池充电器
- 焊接机
- 灯镇流器
- 浪涌电流保护电路