- 引脚图
- 焊盘图
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APT80GA60LD40
APT80GA60LD40
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT80GA60LD40
- 商品编号
- C3194046
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V；1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.39nF | |
| 输出电容(Coes) | 580pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 63pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns；21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 158ns；194ns | |
| 导通损耗(Eon) | 840uJ；1.275mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 751uJ；1.112mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 22ns；85ns；25ns；160ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |