商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 400V | |
| 集电极电流(Ic) | 32A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款IGT晶体管（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的MOS栅极导通/关断功率开关器件，它结合了功率MOSFET和双极晶体管的最佳优势。其结果是该器件具有MOSFET的高输入阻抗和与双极晶体管相似的低导通状态传导损耗。IGT晶体管的器件设计和栅极特性也与功率MOSFET相似。一个重要的区别是等效RDS(ON)漏极电阻，当栅极导通时，该电阻被调制到一个较低的值（低10倍）。低得多的导通状态电压降在25°C ± 和150°C之间的变化也适中，从而提供了扩展的功率处理能力。
商品特性
- 低VCE(SAT) —— 典型值2.3V，20A时
- 超快速导通 —— 典型值200 ns
- 多晶硅MOS栅极 —— 电压控制导通/关断
- 高电流处理能力 —— 100°C时20安培
应用领域
该IGT晶体管非常适合许多在低频下运行且低传导损耗至关重要的高压开关应用，如交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。