GT30J121(Q)
GT30J121(Q)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- GT30J121(Q)
- 商品编号
- C3194114
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.45V@15V,30A | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 90ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 800uJ |
商品特性
- 第四代IGBT
- 增强模式类型
- 快速开关（FS）：工作频率高达50 kHz（参考值）
- 高速：tf = 0.05 μs（典型值）
- 低开关损耗：Eon = 1.00 mJ（典型值）；Eoff = 0.80 mJ（典型值）
- 低饱和电压：VCE (sat) = 2.0 V（典型值）