- 引脚图
- 焊盘图
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HGTD8P50G1S
HGTD8P50G1S
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTD8P50G1S
- 商品编号
- C3193963
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 500V | |
| 集电极电流(Ic) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTD8P50G1和HGTD8P50G1S是P沟道增强型绝缘栅双极晶体管（IGBT），专为高压、低导通损耗应用而设计，如开关稳压器和电机驱动器。这种P沟道IGBT可与N沟道IGBT配对，形成互补功率开关，非常适合半桥电路配置。这些型号可直接由低功率集成电路驱动。
商品特性
- 8A，500V
- 3.7V VcE(Sat)
- 典型下降时间 - 1800ns
- 高输入阻抗
- T = +150°C