RGT40NS65DGC9
RGT40NS65DGC9
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RGT40NS65DGC9
- 商品编号
- C3193974
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 161W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.07nF | |
| 输出电容(Coes) | 45pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 18pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 75ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 58ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该模块是一款采用沟槽栅场截止型IGBT与快速软恢复FRD芯片的功率模块,专为高频开关应用而优化。其设计旨在实现低开关损耗和高效率,同时提供出色的短路耐受能力。模块采用无铅电镀,符合RoHS指令要求。
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 低开关损耗
- 短路耐受时间5μs
- 内置极快速软恢复FRD
- 无铅电镀,符合RoHS标准
应用领域
- 通用逆变器
- 不间断电源
- 电源调节器
- 焊机
- AUIRGSL4062D1
- AUIRGSL30B60K-IR
- ISL9V5036S3
- IXGA20N120B3-TRL
- IXGA48N60B3-TRL
- IXGA48N60A3-TRL
- IXGA12N120A3-TRL
- IXGA30N120B3-TRL
- IXGA48N60C3-TRL
- IXGA20N120A3-TRL
- SI-8050SD-TL
- LM2576-12BU TR
- SI-8033JD-TL
- LM2575-3.3BUTR
- SI-8120JD-TL
- RAJ2800024H12HPF#GB0
- RAJ2800044H12HPF#GB1
- RAJ2800044H12HPF#GB0
- RAJ2800034H12HPF#GB0
- RAJ2800024H11HPF#GB0
- LM22676QTJ-ADJ/NOPB


