HGT1S7N60C3DS9A

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: HGT1S7N60C3DS9A
商品编号: C3194022
商品封装: TO-263AB
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HGTP7N60C3D、HGT1S7N60C3D和HGT1S7N60C3DS是MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。所使用的IGBT是开发型TA49115。与IGBT反并联使用的二极管是开发型TA49057。

IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。

商品特性

在τc = 25°C时为14A、600V
600V开关安全工作区能力
在Tj = 150°C时典型下降时间为140ns
短路额定值
低传导损耗
超快速反并联二极管

应用领域

交流和直流电机控制
电源
螺线管、继电器和接触器的驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	-
	耗散功率(Pd)	-
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	14A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	23nC
	输入电容(Cies)	-
	导通损耗(Eon)	165uJ
	关断损耗(Eoff)	-
	反向恢复时间(Trr)	-
	工作温度	-