HGTD3N60B3S

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: HGTD3N60B3S
商品编号: C3193947
商品封装: TO-252-3(DPAK)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	-
	耗散功率(Pd)	33.3W
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	7A
	集电极脉冲电流(Icm)	20A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2.1V；1.8V
	栅极阈值电压(Vge(th))	5.4V
	栅极电荷量(Qg)	21nC

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	-
	输出电容(Coes)	-
	反向传输电容(Cres)	-
	开启延迟时间(Td(on))	18ns
	关断延迟时间(Td(off))	105ns
	导通损耗(Eon)	66uJ；130uJ
	关断损耗(Eoff)	88uJ；210uJ
	反向恢复时间(Trr)	-
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

HGTD3N60B3S、HGTD3N60B3、HGT1S3N60B3、HGT1S3N60B3S和HGTP3N60B3是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。

IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。

商品特性

7A，600V，Tc = 25°C
600V开关安全工作区能力
典型下降时间：在Tj = 150°C时为115ns
短路额定值
低传导损耗

应用领域

交流和直流电机控制
电源
螺线管、继电器和接触器的驱动器

数据手册PDF

放大查看下载PDF