HGTG32N60E2
HGTG32N60E2
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
HGTG32N60E2商品编号
C3193610商品封装
TO-247包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | - | |
集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
集电极电流(Ic) | 50A | |
耗散功率(Pd) | 208W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.9V@15V,32A | |
栅极电荷量(Qg) | 265nC | |
输入电容(Cies) | - | |
导通损耗(Eon) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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