- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGTG12N60C3DR
HGTG12N60C3DR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTG12N60C3DR
- 商品编号
- C3193589
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 24A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | 400uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 340uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款IGBT系列专为电机控制操作以及其他高压开关应用的严苛环境而设计，以实现最佳性能。这些器件在承受严酷的短路耐受时间（SCWT）条件时，展现出强大的性能。器件具备超快（UFS）开关速度，同时导通损耗保持在较低水平。 电气规格包括典型的导通和关断dv/dt额定值。这些额定值以及导通额定值包含了测试电路中二极管的影响（图17）。数据是在二极管与被测IGBT处于相同结温（TJ）下获得的。与IGBT反并联使用的二极管为开发型号TA49213，IGBT为开发型号TA49118。
商品特性
- 在TC = 25°C时，电流为24A，电压为600V
- 具备600V开关安全工作区（SOA）能力
- 在TJ = 150°C时，典型下降时间为250ns
- 在TJ = 150°C时，短路额定时间为10μs
- 低导通损耗
- 超快反并联二极管