- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGTP7N60C3
HGTP7N60C3
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTP7N60C3
- 商品编号
- C3193537
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTD7N60C3、HGTD7N60C3S 和 HGTP7N60C3 是 MOS 栅控高压开关器件，结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。在 25°C 至 150°C 之间，其低得多的导通压降变化适中。IGBT 非常适合许多中频率运行的高压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 在 TC = 25°C 时，14A、600V
- 600V 开关安全工作区能力
- 在 τJ = 150°C 时，典型下降时间为 140ns
- 短路额定值
- 低导通损耗