- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 300V | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 180pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 60pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 103ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用统一的 IGBT 技术，仙童的 PDP IGBT 具有低传导和开关损耗。FGPF70N30 为需要低传导损耗的 PDP 应用提供了最佳解决方案。
商品特性
- 高电流能力
- 低饱和电压：VCE(sat)=1.4V，IC = 40A 时
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 符合 RoHS 标准
应用领域
PDP 系统