- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NXH80B120MNQ0SNG
NXH80B120MNQ0SNG
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH80B120MNQ0SNG
- 商品编号
- C3198167
- 商品封装
- PIM-22(32.5x55)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 23A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 69A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.72nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.0387nF | |
| 输出电容(Coes) | 95.5pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 10.9pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13.4ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 27.6ns | |
| 导通损耗(Eon) | 166uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 49.2uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 12ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |