NXH350N100H4Q2F2S1G
耐压:1kV 电流:303A SiC Hybrid Module, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NXH350N100H4Q2F2S1G商品编号
C3198345商品封装
Q2PACK-42(47x93)包装方式
托盘
商品毛重
0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1kV | |
| 集电极电流(Ic) | 303A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 276W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.3V@15V,375A | |
| 输入电容(Cies@Vce) | 24.146nF@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1托盘
1+￥2457.58￥88472.88
216+￥951.05￥34237.8
504+￥917.63￥33034.68
1008+￥901.12￥32440.32
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
购买数量(36个/托盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个36个/托盘
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
