- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NXH350N100H4Q2F2S1G
NXH350N100H4Q2F2S1G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- 商品编号
- C3198345
- 商品封装
- Q2PACK-42(47x93)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 276W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1kV | |
| 集电极电流(Ic) | 303A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 909A；894A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.63V；1.75V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.84V；5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.304uC@600V；1.249uC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 24.146nF@20V | |
| 输出电容(Coes) | 1.012nF；1.027nF | |
| 反向传输电容(Cres) | 104pF；106pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 85ns；70ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 319ns；423ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.5mJ；6.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.2mJ；4.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 105ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |