2N3838/TR
2N3838/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 2N3838/TR
- 商品编号
- C3198385
- 商品封装
- Flatpack-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
这款采用6引脚扁平封装的2N3838器件符合军标JANTXV级要求，适用于高可靠性应用。美高森美（Microsemi）还提供众多其他产品，以满足更高和更低功率的电压调节应用需求。
商品特性
- 根据MIL-PRF-19500/421标准，还提供JAN、JANTX和JANTXV级产品。
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）。
应用领域
- 单封装设计中包含两个互补的小信号硅晶体管。
- 重量轻。