商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2.2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 33V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管主要设计用于200 - 500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动和预驱动放大器级。在400 MHz、28 V条件下保证性能。输出功率为20 W,功率增益最小为10 dB,效率最小为50%。对所有相位角下30:1电压驻波比的负载失配进行100%测试。采用金金属化系统以实现高可靠性。计算机控制的引线键合确保输入阻抗一致。
商品特性
- 计算机控制的引线键合确保输入阻抗一致
- 采用金金属化系统以实现高可靠性

