商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 10 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管主要设计用于30 - 200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级。在150 MHz、28 V直流条件下保证性能。输出功率 = 100 W，最小增益 = 9.0 dB。内置匹配网络以实现宽带操作，100%测试所有相位角下30:1电压驻波比（VSWR）的负载失配情况。采用镀金金属化系统以实现高可靠性。具有高输出饱和功率，非常适合30 W载波/120 W峰值调幅（AM）放大器应用，在宽带测试夹具中保证性能。
商品特性
- 主要用于30 - 200 MHz频率范围的宽带大信号输出放大器级
- 在150 MHz、28 Vdc下保证性能
- 输出功率为100 W
- 最小增益为9.0 dB
- 内置匹配网络以实现宽带操作
- 100%测试所有相位角下30:1 VSWR的负载失配情况
- 采用镀金金属化系统以实现高可靠性
- 高输出饱和功率，适合30 W载波/120 W峰值AM放大器应用
- 在宽带测试夹具中保证性能