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FGD3N60LSDTM-T-FS引脚图
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FGD3N60LSDTM-T-FS

FGD3N60LSDTM-T-FS

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FGD3N60LSDTM-T-FS
商品编号
C3193932
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)40W
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)6A
集电极脉冲电流(Icm)25A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.2V
栅极阈值电压(Vge(th))3.2V
栅极电荷量(Qg)12.5nC
属性参数值
输入电容(Cies)185pF
输出电容(Coes)20pF
反向传输电容(Cres)5.5pF
开启延迟时间(Td(on))40ns
关断延迟时间(Td(off))600ns
导通损耗(Eon)250uJ
关断损耗(Eoff)1mJ
反向恢复时间(Trr)234ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF