STGF20H65DFB2
耐压:650V 电流:40A
描述
采用 TO-220FP 封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGF20H65DFB2商品编号
C3193585商品封装
TO-220FP包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 功率(Pd) | 45W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,20A | |
| 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies@Vce) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 78.8ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.265mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.214mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 215ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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