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HGTP20N35G3VL引脚图
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HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HGTP20N35G3VL
商品编号
C3193551
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)150W
集射极击穿电压(Vces)380V
集电极电流(Ic)20A
集电极脉冲电流(Icm)-
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.5V;1.6V;1.6V;2.8V;1.25V;1.9V;1.3V;3.5V
栅极阈值电压(Vge(th))1.3V;2.3V
栅极电荷量(Qg)28.7nC
属性参数值
输入电容(Cies)-
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)-
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))15us;30us
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)-
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF