- 引脚图
- 焊盘图
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STGB20H65DFB2
STGB20H65DFB2
- 描述
- 采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB20H65DFB2
- 商品编号
- C3190548
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 7.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.01nF | |
| 输出电容(Coes) | 81pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 78.8ns | |
| 导通损耗(Eon) | 265uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 214uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 215ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
最新的650V HB2系列IGBT代表了专有沟槽栅场截止结构的进化。HB2系列的性能在导通方面进行了优化，得益于低电流值下更好的V_CE(sat)表现以及降低的开关能量。一个非常快速的软恢复二极管与IGBT反并联共封装，该产品专门设计用于为广泛的快速应用最大化效率。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 低V_CE(sat)=1.65V（典型值）@I_C=20A
- 非常快速且软恢复的共封装二极管
- 最小化尾电流
- 参数分布紧密
- 热阻低
- V_CE(sat)具有正温度系数
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- UPS
- 太阳能逆变器
- 充电器