- 引脚图
- 焊盘图
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APT25GN120SG/TR
APT25GN120SG/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT25GN120SG/TR
- 商品编号
- C3190558
- 商品封装
- D3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 33A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 75A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 105pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 85pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.49J | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.15J | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用最新的场截止和沟槽栅技术，这些IGBT具有极低的VCE(ON)，非常适合要求极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。内置栅极电阻确保即使在短路故障时也能实现极其可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并使损耗最小化。
商品特性
- 1200V场截止
- 沟槽栅：低VCE(on)
- 易于并联
- 集成栅极电阻：低EMI，高可靠性
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源