- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT60GT60JRDQ3
APT60GT60JRDQ3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT60GT60JRDQ3
- 商品编号
- C3191193
- 商品封装
- SOT-227-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 105A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 460nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.15nF | |
| 输出电容(Coes) | 475pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 295pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 350ns；320ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.525mJ；3.275mJ；4.65mJ；3.25mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.125mJ；3.75mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |