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APT43GA90BD30

900V 78A

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描述: 是一种高速穿通开关模式 IGBT。通过领先的技术、硅设计和寿命控制工艺实现低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff 和 VCE(ON) 的折衷结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cles 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT43GA90BD30
商品编号: C3193673
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	337W
	集射极击穿电压(Vces)	900V
	集电极电流(Ic)	78A
	集射极饱和电压(VCE(sat))	3.1V@25A,15V
	栅极阈值电压(Vge(th))	3V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	116nC
	输入电容(Cies)	2.465nF

	属性	参数值
	输出电容(Coes)	227pF
	反向传输电容(Cres)	34pF
	开启延迟时间(Td(on))	-
	关断延迟时间(Td(off))	82ns
	导通损耗(Eon)	875uJ
	关断损耗(Eoff)	425uJ
	反向恢复时间(Trr)	295ns
	工作温度	-

商品概述

POWER MOS 8°C是一款高速穿通型开关模式IGBT。通过领先的技术、硅片设计和寿命控制工艺，实现了低E_off。降低的E_off与V_CE(on)权衡关系，使其相比其他IGBT技术具有更优的效率。低栅极电荷以及大幅降低的C_res/C_ies比值，提供了出色的抗噪能力、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构固有的芯片栅极电阻和电容有助于控制开关期间的di/dt，从而实现低EMI，即使在高频开关时也是如此。

商品特性

快速开关且低EMI
极低E_off，实现最高效率
超低C_res，改善抗噪能力
低导通损耗
低栅极电荷
增加的固有栅极电阻，实现低EMI
符合RoHS标准

应用领域

ZVS相移及其他全桥
半桥
大功率PFC升压
焊接
UPS、太阳能及其他逆变器

数据手册PDF

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