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APT43GA90BD30
900V 78A
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- 描述
- 是一种高速穿通开关模式 IGBT。通过领先的技术、硅设计和寿命控制工艺实现低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff 和 VCE(ON) 的折衷结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cles 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT43GA90BD30
- 商品编号
- C3193673
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 337W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 900V | |
| 集电极电流(Ic) | 78A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.1V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.465nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 227pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 34pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 82ns | |
| 导通损耗(Eon) | 875uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 425uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 295ns | |
| 工作温度 | - |