- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT80GP60B2G
APT80GP60B2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT80GP60B2G
- 商品编号
- C3193359
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 183A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 307A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 294nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 8.17nF | |
| 输出电容(Coes) | 630pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 78pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 212ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.354mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.614mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |