HGTA32N60E2
HGTA32N60E2
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTA32N60E2
- 商品编号
- C3193375
- 商品封装
- TO-218-5
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 265nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IGBT是一种MOS栅极高电压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在+25°C至+150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。IGBT非常适合许多在低传导损耗至关重要的频率下运行的高压开关应用，如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 32A，600V
- 无闩锁操作
- 典型下降时间620ns
- 高输入阻抗
- 低传导损耗