- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT80GP60JDQ3
APT80GP60JDQ3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT80GP60JDQ3
- 商品编号
- C3191200
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 151A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 330A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.84nF | |
| 输出电容(Coes) | 735pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 150ns；115ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.535mJ；2.155mJ；795uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.69mJ；1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 80ns；140ns；160ns；70ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |