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AP5G03DF
30V N+P通道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP5G03DF
- 商品编号
- C3011491
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP5G03S/DF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,也适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道:
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 8 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- P沟道:
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -6.2 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < -50 mΩ
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源