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AP20G06GD
60V N+P沟道增强型MOSFET,电流:23A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20G06GD
- 商品编号
- C3011510
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-针对高可靠性开关应用进行优化-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 电机驱动-负载开关-电池保护-通用DC/DC转换器
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