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AP20G06GD
60V N+P沟道增强型MOSFET,电流:23A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20G06GD
- 商品编号
- C3011510
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.56nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP20G06GD采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 23 A
- 栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -18A
- 栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 70 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
- HX251EUA
- MAX3085
- MAX13085
- SSP7805CV
- SSP7615-12M5R
- SSP7615-25M5R
- SSP7615-28M5R
- SSP7615-33M5R
- SSP7615-18DFR
- SSP7615-28DFR
- SSP7615-30DFR
- SSP7615-33DFR
- PDMTAT044125-4R7MWU
- PDMTAT044125-6R8MWU
- PDMTAT044125-560MWU
- PDMTAT044125-680MWU
- PDMTAT044125-101MWU
- PDMTAT044125-4R7MLU
- PDMTAT044125-6R8MLU
- PDMTAT044125-100MLU
- PDMTAT044125-220MLU