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AP10G04DF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:9.8A
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- 品牌名称APM(永源微电子)
商品型号
AP10G04DF商品编号
C3011503商品封装
PDFN-8(3.1x3.2)包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17.5mΩ@10V,5A | |
| 功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 593pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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