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AP8G06S
60V N+P沟道增强模式MOSFET,电流:8.5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8G06S
- 商品编号
- C3011507
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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