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AP8G06S
60V N+P沟道增强模式MOSFET,电流:8.5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8G06S
- 商品编号
- C3011507
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP8G06S采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 8.5A
- RDS(ON) < 52mΩ(VGS = 10V时,典型值为38mΩ)
- VDS = -60V,ID = -7.7A
- RDS(ON) < 100mΩ(VGS = -10V时,典型值为80mΩ)
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机