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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP15G04NF

40V N+P沟道增强型MOSFET

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商品型号
AP15G04NF
商品编号
C3011504
商品封装
DFN-8(4.9x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.226克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.013nF@32V
反向传输电容(Crss)76pF@32V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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