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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP6G03S采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 10A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 25mΩ
- 漏源电压(VDS) = -30V,漏极电流(ID) = -7.6A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < -42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源