温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,7.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 930pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP4606B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 10A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 25mΩ
- 漏源电压(VDS) = -30V,漏极电流(ID) = -7.6A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < -42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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