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AP6G04S
40V N+P-通道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP6G04S
- 商品编号
- C3011500
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 593pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AP20G03NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 6A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 26mΩ
- VDS = -40V,ID = 6A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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