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AP25G03GD
30V N+P沟道 增强模式MOSFET,电流:25A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP25G03GD
- 商品编号
- C3011499
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
AP25G03GD采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 25A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 22 mΩ(典型值:15 mΩ)
- VDS = -30V,ID = -24A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 32 mΩ(典型值:25 mΩ)
应用领域
-升压驱动器-无刷电机
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