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AP15G03DF
30V N沟道和P沟道增强模式MOSFET,电流:19.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP15G03DF
- 商品编号
- C3011496
- 商品封装
- PDFN-8(3.1x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,16.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP8V04S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 19.3A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 13 mΩ(典型值:10 mΩ)
- VDS = -30V,ID = -16.5A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:21 mΩ)
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
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