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AP8G04S
N+P沟道,电流:8.3A,耐压:40V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8G04S
- 商品编号
- C3011501
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP8G04S采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 8.3A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:18 mΩ)
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -6.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 50 mΩ(典型值:42 mΩ)
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机