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AP6G03LI
30V N+P沟道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP6G03LI
- 商品编号
- C3011492
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 416pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 6.8A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:18 mΩ)
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -5.8A
- 栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 52 mΩ(典型值:42 mΩ)
应用领域
- 无刷直流电机(BLDC)
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