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AP10H03DF-L
30V双N沟道增强型MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP10H03DF-L
- 商品编号
- C3011480
- 商品封装
- PDFN-8(3.1x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.82nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 896pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP10H03DF是高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。该产品符合RoHS标准,且经过全面的功能可靠性测试,满足产品要求。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 10A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 12mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 16.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源