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AP8H06S
60V双N沟道增强型MOSFET,电流:8A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8H06S
- 商品编号
- C3011485
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP13P06Y采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 8A
- RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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