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AP15H06S
60V双N沟道增强型MOSFET,电流:15A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP15H06S
- 商品编号
- C3011486
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.423nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP10H03DF是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准，且经过全面的功能可靠性测试，满足产品要求。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 10A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 16.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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