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AP8H04DF
40V N+N沟道增强型MOSFET,电流:10.8A,耐压:40V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8H04DF
- 商品编号
- C3011483
- 商品封装
- DFN-8-EP(3.2x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 593pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP50P10D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = 40V
- ID = 10.8A
- RDS(ON) < 23 m Ω @ VGS = 10 V(典型值:16 m Ω)
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
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