温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFP360LCPBF
1个N沟道 耐压:400V 电流:23A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款新型低电荷功率MOSFET相较于传统MOSFET，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的MOSFET技术，降低了栅极驱动要求，提高了开关速度，并为整个系统节省了成本。这些改进与MOSFET经证实的耐用性和可靠性相结合，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFP360LCPBF
- 商品编号
- C3008909
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
相似推荐
其他推荐
- IRFIB7N50APBF
- IRFZ34PBF
- IRFU9220PBF
- IRL530PBF
- IRF540PBF-BE3
- SIHU5N80AE-GE3
- SIHA6N80AE-GE3
- SIHA105N60EF-GE3
- SIHG186N60EF-GE3
- SIHP12N50E-GE3
- SIHF068N60EF-GE3
- SIHB24N65EFT1-GE3
- IRF9610PBF-BE3
- IRF530PBF-BE3
- SIHH240N60E-T1-GE3
- SIHA186N60EF-GE3
- IRFBE30PBF-BE3
- SIHP068N60EF-GE3
- SIHG105N60EF-GE3
- SI2377EDS-T1-BE3
- SIHF740STRL-GE3