SIHB24N65EFT1-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB24N65EFT1-GE3
- 商品编号
- C3009468
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.774nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
AP2222D采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且栅极电压低至2.5V时仍可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低 trr、Qrr 和 IRRM
- 低品质因数(FOM)R\text on x Q\text g
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 因 Qrr 降低而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
-电信领域-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机领域-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源领域-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LCC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
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