IRL630STRLPBF
N沟道 MOSFET,电流:5.7A,耐压:200V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRL630STRLPBF
- 商品编号
- C3009874
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CS20N65F A9R是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.50Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：58nC）
- 低反向传输电容（典型值：20pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无卤
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。